Niedertemperatur-Gallium-Arsenid-Hetero-Feld-Effekt-Transistor

Gespeichert in:
1. Verfasser:
Lipka, Klaus-Michael
Format:
Abschlussarbeit Buch Dissertation
Sprache:
Deutsch
Veröffentlicht:
Düsseldorf VDI-Verl. 1997
Ausgabe:
Als Ms. gedr.
Bestände:
  • Magazin: pfl/7766
Umfang:
XI, 109 S. : Ill., graph. Darst.
Anmerkungen:
Ulm, Univ., Diss.
Schriftenreihe:
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 244
ISBN:
3183244098
Schlagworte:
Galliumarsenid-Feldeffekttransistor
Heterostruktur-Bauelement
Molekularstrahlepitaxie
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