Ein physikalisch begründetes SOI-Transistermodell für die Schaltungssimulation

Gespeichert in:
1. Verfasser:
Seitz, Stefan
Format:
Abschlussarbeit Buch Dissertation
Sprache:
Deutsch
Veröffentlicht:
Düsseldorf VDI-Verl. 1997
Ausgabe:
Als Ms. gedr.
Bestände:
  • Magazin: pfl/7765
Umfang:
X, 197 S. : Ill., graph. Darst.
Anmerkungen:
München, Fraunhofer Inst. für Festkörpertechnologie, Diss.
Schriftenreihe:
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 243
ISBN:
3183243091
Schlagworte:
MOS-FET
SOI-Technik
Elektrische Eigenschaft
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