Oberflächentopologien von GaAs(001)-Schichten und ihr Wachstum während der Flüssigphasenepitaxie

Gespeichert in:
1. Verfasser:
Marek, Tamas
Format:
Buch
Sprache:
Deutsch
Veröffentlicht:
Düsseldorf VDI-Verl. 1996
Ausgabe:
Als Ms. gedr.
Bestände:
  • Magazin: pfl/5474
Umfang:
X, 96 S. : Ill., graph. Darst.
Schriftenreihe:
Fortschritt-Bericht VDI : Reihe 9, Elektronik ; 222
ISBN:
3183222094
Schlagworte:
Galliumarsenid
Flüssigphasenepitaxie
Schichtwachstum
Reflexionselektronenmikroskopie
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